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Intel推出DC P3100硬盘:3D TLC闪存,写入低至55MB/s

2019/11/23 18:08:04 来源:常州晚报

8月份的时候Intel一股脑推出了6款SSD新品,分别相面消费级、嵌入式、商用等不同市场,开始全线升级3D NAND闪存。日前Intel又推出了面向数据中心市场的入门级硬盘DC P3100系列,官方表示这是首款M.2规格、基于PCI-E的数据中心硬盘,使用的是3D NAND TLC闪存,读取速度1800MB/s,写入速度是55-175MB/s——你没看错,就是最高175MB/s,最低55MB/s。

DC P系列是Intel针对数据中心市场推出的SSD硬盘,目前的主力是DC P3000系列,之前多是PCI-E或者U.2规格的,DC P3100是首个M.2规格的,而闪存也开始使用3D NAND,既然是入门级产品,使用TLC闪存也没啥意外的。

该系列容量有128GB、256GB、512GB及1TB四种,性能最强的1TB版,读取速度1800MB/s,写入速度175MB/s——读取性能还可以,但写入速度有点太低了,但这还不是最差的,128GB版读取速度720MB/s,写入速度只有55MB/s,随机4K读取27万IOPS,随机写入只有2200 IOPS。

至于性能为啥这么低,Intel并没有公布DC P3100系列的主控和详细规格,估计Intel并没有使用SLC缓存之类的技术,55-175MB/s的写入速度是TLC闪存的原始速度而已。

如果说入门级产品不太看重性能,这么解释也就忍了,Intel强调的是性能与耐用性均衡,不过1TB版数据寿命才580TB,三星消费级的960 Pro硬盘1TB数据寿命都有800TB了,960 Evo也有400TB了,企业级的都干不过消费级的,这可咋整,客户唯一还有希望的就是Intel比三星便宜点了,还有五年的质保。


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